組み込み用途 / 産業用途向け USB フラッシュメモリ

長寿命、高データ保持信頼性を実現するSLC(Single Level Cell)FLASHメモリ搭載製品と、高容量対応で安価にデータ保持信頼性を実現するMLC(Multi Level Cell)FLASHメモリ搭載製品の2タイプをラインナップ。
ご使用の用途に応じて最適な製品をお選びいただけます。

フラッシュ製品に搭載されているNANDフラッシュは、ブロックと呼ばれる単位でデータの保持を行っております。
ブロックは消去回数に制限があるため、特定のブロックに対して書き込み等が集中しないように制御しています。
フラッシュ内の全ブロックに対して書込み・消去回数を平準化するウェアレベリング機能をコントローラのファームウェアで制御することにより、フラッシュの書換え耐性を向上させています。
本製品においては、静的(スタティック)ウェアレベリングと動的(グローバル)ウェアレベリングの両方を効率よく切り替えながら制御するアダプティブウェアレベリングを採用し、産機用途に最適化されたデータ保持性能の向上を図っております。

リードディスターブおよびデータリテンション対策として、内部エラービット検出機能により、一定の基準条件に達したブロックについてデータを別ブロックに移動処理を行い、データ保持能力を改善しています。

意図しない電断への対策として、DRAMキャッシュやコンデンサを必要としない独自の電断対策機能を搭載しています。
書き込み等動作中の電源断を検知すると、NANDフラッシュへのアクセスを停止する等の処理を行い、格納済みデータの保全を行います。

Windows専用のツールにより、S.M.A.R.T.(Self-Monitoring, Analysis and Reporting Technology)機能に対応。
製品の寿命状態が確認可能となります。機能統合等もカスタマイズにより対応可能ですのでご相談ください。